酒井研究室

ホーム
研究紹介
研究室セミナー
メンバー
研究設備からみたこれまでの歩み
修士論文と卒業論文
最近の発表論文
卒業生の進路先

講義関連
修士論文と卒業論文

修士論文
2019年度 スピン注入下におけるY及びYH2のHall効果(芦澤優吾)
希土類二水素化物RH2(R=Y, Sc)へのスピン注入に対する面内磁場の影響(伊勢健冬)
Yb膜の常圧水素化におけるPt触媒効果(小柴慶悟)
両極性伝導体YおよびYH2におけるスピン拡散長の評価(高橋侑太郎)
分子線蒸着法によって成膜したYbおよび半導体相YbH2の電気伝導 (藤井大樹)
2018年度 TbFe電極から両極性伝導体(Y, YH2)へのTi膜を介したスピン注入(秋里宗次郎)
ホールバー法を用いたYおよびYH2におけるスピンホール効果(菅沼奈央)
スピン注入型ホールバー素子の石英基板上製作およびソース・ドレイン電極の磁化制御(三上亮太)
Pt/Ni二層触媒を用いた低濃度水素によるYの三水素化 (小林拓也)
2017年度 Pt触媒を利用した低濃度水素によるYの完全三水素化と水素ガスセンサへの応用(坂井琢磨)
イットリウム及びその水素化物YHXへのスピン注入を目的とした準微小ホールバー素子の作製(佐藤枢)
Pt触媒を用いて作製した半導体性水素化物YbH2の電気・光学特性(吉澤輝)
2016年度 単極性非磁性伝導体への磁化反転スピン注入を目的とした微小ホール素子作製(飯笹圭太郎)
分子線蒸着法によるGd膜作製と大気非接触その場水素化反応(竹之内郁人)
フェリ磁性体TbFeCo電極を用いた両極性伝導体YH2及びScH2へのスピン注入(西間木誠)
Pd/Ni二層触媒を利用した低温・低濃度水素反応による半導体相YH3の作製(矢吹康佑)
2015年度 水素吸蔵磁性体GdXY1-XH2(0≦x≦1)における磁性と電気伝導(工藤 駆)
水素吸蔵体ScH2の薄膜作製およびスピン注入素子応用(松永智善)
水素吸蔵体YH2チャネルと強磁性電極から構成した準微小ホール素子における磁気電気伝導特性(高尾 啓)
2014年度 分子線蒸着法によるイットリウムの作製と水素化評価(大友貴史)
GdXY1-XH2(0≦x≦1)におけるホール抵抗及び光学伝導度(春山翔太)
2013年度 極低濃度水素(3%)を用いたPdおよびNi触媒層付きY薄膜の完全水素化と結晶性評価(平間弘晃)
2012年度 水素透過性酸化防止膜(Pd, Ni, Gd)を用いた擬ゼロホール係数材料YH2薄膜の作製(大越朋哉)
2011年度 水素吸蔵体YHX(x≒2)における負の磁気抵抗(児玉大輔)
水素吸蔵体>GdXY1-XH2(0≦x≦1)の磁性と電気伝導(櫻庭琢士) 
水素吸蔵体YH2の結晶性の改善に関する研究(早川昌志)
2007年度 水素化イットリウムYH2+δのキャリヤ特性(丹治義和)
2006年度 クロライド気相成長法によるZnO薄膜の作成と結晶性評価 (下村祐貴)
N型InP薄膜/InGaAsの低温電界変調反射分光 (菅原光司)
AlCl3 - NH3 混合ガスを用いたCVD反応プロセスに関する輸送現象解析(福原芳樹)
2004年度 自動化van der Pauw法及び移動度スペクトル評価方法の開発(菊池紀史)
水素欠損型YH2+δ薄膜(-0.3<δ<0.05)及び水素過剰型SmH2+δ薄膜の電気伝導機構(南保岳)
P型InPにおけるフェルミ準位ピンニング機構に関するX線光電子分光及び光変調反射分光研究(高桑 淳)
2003年度 磁気輸送の逆問題解析にもとづく移動度スペクトル評価(井上洋輔)
P型InPの表面フェルミ準位に対する低温度熱処理効果(柴田大輔)
ZnOバルク単結晶およびエピタキシャル薄膜の励起子発光中心に関する研究(渡辺政巳)
2002年度 水素化イットリウム薄膜YH2+δにおける電気伝導特性(紺谷 亘)
P型InPにおける低温エレクトロリフレクタンス(鈴木祐公)
非局所応答理論にもとづく半導体薄膜のFranz-Keldysh効果に関する研究(山口 亮)
2001年度 N型及びP型GaAs表面空乏層に関する波長変調反射分光(鶴田八朗)
中間的な厚さを持つ表面量子井戸構造の光学特性(萩野淳一 )
2000年度 ITO(Au)/P(N)InPショットキー接合の電気光学特性(倉山徹男)
1999年度 フォトレフレクタンスを用いたInPの電気光学特性の評価方法に関する研究(丹羽敦彦)
Si基板上に成長させた合金半導体Ge1-XCXの光学的性質(北山雄一)

卒業論文
2019年度 YbHx(1.8<x<2.2)における格子定数の組成比依存性と化学結合状態(五十嵐滉介)
分子線蒸着法を用いたYb膜成長と常圧下における水素化条件の探索(橘内悟)
フェリ磁性体Gd25Fe66Co9を用いた補償金属Pt及び非補償金属Alへのスピン注入(山﨑郁生)
ホールバー素子磁性電極のレーザー加熱磁化反転装置の製作(榎本宗司)
2018年度 コンテック製GPIBとVisual Basic 言語を用いた超伝導マグネット電源のリモート制御(板倉敏美)
希土類遷移金属フェリ磁性体の磁区観察と局所磁化反転(加藤伶央)
スピン注入下ホール効果測定における較正用ホールバー素子の作製(川口颯天)
強磁性-常磁性金属接合系における電荷・スピン輸送の理論(鯉沼将大)
低温メタンドライリフォーミングのためのNiとMgOからなるナノ相分離触媒の作製(西口ひかり)
2017年度 フェリ磁性体Tb26Fe66Co8を電極に用いたYH2のvan der Pauw法ホール効果測定:Ti下地の影響(藤井大樹)
両極性伝導体YH2の横磁気抵抗に対するスピン注入の影響(伊勢健冬)
van der Pauw型ホール効果測定サンプルに対する電流源―電圧計接続の自動切替化(小柴慶悟)
イットリウムを電流チャネルとする準微小Hall-bar素子のフォトリソグラフィー作製(高橋侑太郎)
水素雰囲気下におけるイットリウムのHall-bar法による電気伝導特性評価(芦澤優吾)
2016年度 Sc及びScH2の反射スペクトル測定と電子構造計算(秋里宗次郎)
出力部に異常ホール効果を利用する排他的論理和ゲートの入力部設計(石井淳也)
二層レジストを用いた電子線・紫外線リソグラフィーによる微小ホール素子作製(菅沼奈央)
ボイラー配管内面に形成する酸化被膜の磁気特性と異常ホール効果(三上亮太)
2015年度 Pd/Ni積層触媒を用いた半導体相YH3の作製(青木伸彦)
分子線蒸着法によるGd膜の作製及び大気非接触直接水素化(坂井琢磨)
水素吸蔵磁性体GdH2のホール効果に対する基板の影響(吉澤 輝)
電子ビームリソグラフィーを用いた微小ホール素子製作(佐藤 枢)
金属薄膜のゼーベック係数測定装置製作(秋山太佑)
2014年度 化学及び物理エッチングによるイットリウム市販原料の高純度化(竹之内郁人)
GdXY1-XH2(0≦x≦1)の光学特性に対する基板の影響(矢吹康佑)
磁性電極を用いた両極性伝導体YH2へのスピン注入(西間木誠)
TbFeCo電極を用いた単極性伝導体Au及びCuへのスピン注入(飯笹圭太郎)
磁場中熱起電力測定装置の製作(小城真琴)
2013年度 GdXY1-XH2(0≦x≦1)の可視・赤外反射特性及びx=0.39におけるドルーデ反射率の温度依存性(青木浩輝)
立方晶Gd13Y19とその水素吸蔵相Gd13Y19H64の電子構造計算 (石川 寛)
アーク融解法によるGdXY1-Xの作製及び極低濃度(3%)水素による完全水素化(工藤 駆)
YH2電流チャネルと4端子Co電極から 構成した微小ホール素子における 磁気電気伝導特性(高尾 啓)
スピン注入型微小ホール素子特性評価における素子固定法・ノイズ対策研究(松永智善)
2012年度 水素吸蔵体GdXY1-XH2(0≦x≦1)の光学反射率測定及び電子構造計算(春山翔太)
水素吸蔵体GdXY1-XH2(x≒0.4)におけるホール抵抗及び横磁気抵抗の温度依存性(新井達也)
擬ゼロホール係数材料YH2を電流チャネル層とする微小ホール素子へのスピン注入(田中祐輔)
分子線蒸着の為のイットリウムの高純度化及び薄膜作製(大友貴史)
2011年度 電子ビーム蒸着法による水素吸蔵体GdXY1-XH22の作製と磁化測定(平間弘晃)
水素吸蔵規則合金GdXY1-XH2(0≦x≦1)の電子構造計算(山崎元冶)
水素吸蔵体GdXY1-XH2におけるホール効果(佐藤敬次郎)
水素吸蔵体YH2を用いた微小ホール素子の作製(養田勇騎)
希土類金属の成膜に用いる分子線蒸着装置の作製(丹羽康太)
水素吸蔵性金属の負の磁気抵抗効果(岡野由尚)
2010年度 水素吸蔵体YHX及びGdHX(x≒2)薄膜の作製(大越朋哉)
水素吸蔵体GdHX(x≒2)におけるホール及び横磁気抵抗(畔上雅俊)
水素吸蔵体YHX(x≒2)における横磁気抵抗の温度依存性(大塚高史)
2009年度 面心立方格子型イットリウムのAPW法によるバンド計算(櫻庭琢士)
水素吸蔵体YHXにおけるホール係数の温度依存性 (伊藤 優)
水素吸蔵体 YHX (1.70<x<2.05) におけるホール係数と比抵抗(伊藤早帆)
水素吸蔵体 YHX (1.70<x<2.05) における横磁気抵抗(児玉大輔)
2008年度 AlCl3-NH3混合ガスによるAlN膜生成のCVD反応シミュレーション(島野雅史)
いくつかの補償金属および軟磁性金属におけるI×B 力の精密測定(藤本史記)
YHX(x≒2)におけるホール係数の温度依存性(藤田浩光)
超伝導マグネットを用いたYHX(x≒2)の横磁気抵抗測定(斎藤智洋)
2007年度 水素化イットリウムYHX(x≒2)におけるホール抵抗の温度依存性(岩隈亘史)
CVD反応諸条件がAlN成膜速度に及ぼす影響に関するシミュレーション研究(王 大千)
CVD反応によるAlN薄膜生成におけるシミュレーションと実験との比較(小野俊輔)
いくつかの金属材料におけるI×B 力とホール電場力との関係(本田尚也)
一様磁場中におかれた透磁性球殻における磁気分極の近似計算について(宮崎悠太)
窒素δドーピングGaAsにおける電場変調反射スペクトル(今井佑介)
2006年度 クロライド気相成長法によるZnO結晶の作製(庄司晋也)
中強磁場下における交流ホール抵抗測定の完全自動化および補償金属への応用(山方和樹)
磁気力と誘導起電力の関与する連成振動に関する研究(栗原美由紀)
2005年度 N型InPエピタキシャル薄膜の電気光学特性(佐藤知行)
クロライド気相法による石英基板上へのZnO薄膜の作成(長谷 裕)
ZnOバルク単結晶の温度消光解析およびZnOエピタキシャル薄膜の磁気電気輸送特性(門川裕美)
小ボア径超伝導マグネット下で使用できる磁気輸送測定用恒温試料容器の製作(宮崎信和)
イットリウム二水素化物YH2+δ薄膜の磁気電気輸送特性(丹治義和)
2004年度 水素過剰型SmH2+δ(0.2<δ<0.6)の電気的および光学的性質(折笠 強)
Nd-Fe-Bリングマグネットを用いた鉄球の磁気浮上(高林 豊)
クロライド気相成長法によるZnO薄膜の作製(下村祐貴)
N型InP/InGaAsにおける電場変調反射分光(菅原光司)
水熱合成ZnOバルク単結晶における励起子発光(柴山誠啓)
2003年度 ZnOエピタキシャル薄膜における不純物―帯間遷移発光(佐藤慎也)
電気伝導度およびホール効果自動計測システムの開発(谷本晃一)
水素欠損イットリウム水素化合物の磁気輸送特性(塩沢 悟)
非局所光学応答理論にもとづく半導体薄膜の電場変調反射スペクトル計算(竹内政博)
InP/InGaAsにおける光変調反射およびフォトルミネッセンススペクトル(松本 晃)
2002年度 ホール効果測定の為のクライオスタットの改良と自動測定化(菊池 紀史)
ZnOバルク単結晶の深い準位に関する発光特性(佐藤知加子)
XPSを用いたP型InP表面フェルミ準位の評価とアニール効果(高桑 淳)
イットリウム二水素化物の透過・反射及び抵抗率の温度依存性(南保 岳)
2001年度 P型InPにおける表面フェルミレベルに対する焼き鈍し効果(柴田大輔)
フーリエ分光法を用いたZnOバルク結晶の高分解フォトルミネッセンス測定(渡辺政巳)
導電性透明薄膜ITOの電気および光学特性の温度依存性(井上洋輔)
2000年度 イットリウムおよびセリウム水素化物の光学特性(梶田義春)
ピストンシリンダー型圧力セルを用いた静水高圧下における希土類水素化物(CeH3-δおよびYH3-δ)の光学特性(紺谷 亘)
P型InPの表面電気光学特性に対する熱処理効果(佐野源穀)
透明導電性薄膜(In2O3)0.83(SnO2)0.17における光学特性の温度依存性(鈴木祐公)
1999年度 合金半導体Ge1-XCXにおける反射及び透過スペクトルの温度依存性(高久 悟)
圧電素子を用いた波長変調分光装置の製作(鶴田八朗)
One eyed quantum well (Al0.3Ga0.7As/GaAs/vacuume)におけるフォトルミネッセンス(萩野淳一)
赤外領域におけるAlおよびAu薄膜の透過特性(渡邉剛樹)
1998年度 N型InPにおける光磁気電気効果(岡野泰彬)
単結晶InPのフォトルミネッセンス(日沼健一)
1997年度 インジウム燐の表面空乏層に関するフォトリフレクタンス(丹羽敦彦)
1997年度 赤外領域におけるGe1-XCXの光学的性質(町田史郎)
C言語およびmathematicaを用いたデータ収集・処理システムの試作(渡邊 徹)

機能材料工学科